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MBD330DWT1G

ON Semiconductor RF 二极管
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.08082

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MBD330DWT1G

ON Semiconductor RF 二极管

产品简介：DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-363

  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.08082

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MBD330DWT1G 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 二极管
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基 - 2 个独立式
  • 电压 - 峰值反向(最大)：30V
  • 电流 - 最大：-
  • 电容@ Vr, F：1.5pF @ 15V，1MHz
  • 电阻@ Vr, F：-
  • 功率耗散（最大）：120mW
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)

MBD330DWT1G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MBD330DWT1G

Schottky Diode; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:30V; Forward Voltage Max, VF:0.45V; Package/Case:6-SOT-363; No. of Pins:6; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Power Dissipation, Pd:120mW ;RoHS Compliant: Yes

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