您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

M59DR008E120ZB6T

STMicroelectronics 内存

产品简介:闪存 8M (512Kx16) 120ns

M59DR008E120ZB6T 中文资料属性参数

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:闪存
  • 数据总线宽度:16 bit
  • 存储类型:NOR
  • 存储容量:32 Mbit
  • 结构:Sectored
  • 接口类型:CFI
  • 访问时间:120 ns
  • Supply Voltage - Max:2.2 V
  • Supply Voltage - Min:1.65 V
  • 最大工作电流:20 mA
  • 工作温度:+ 85 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TFBGA-48
  • 封装:Reel
  • 组织:2 MB x 16
  • 工厂包装数量:2500

M59DR008E120ZB6T 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M59DR008E120ZB6T

8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

37 Pages页,268K 查看

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9