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M45PE80-VMF6G

STMicroelectronics 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 8M (1Mx8)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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M45PE80-VMF6G

STMicroelectronics 内存

产品简介：闪存 8M (1Mx8)

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 8M (1Mx8)

M45PE80-VMF6G 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 数据总线宽度：8 bit
  • 存储类型：NAND
  • 存储容量：8 Mbit
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：SPI
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：6 mA
  • 工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-16
  • 封装：Tube
  • 组织：1 MB x 8
  • 工厂包装数量：1225

M45PE80-VMF6G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M45PE80-VMF6G

8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 25 MHz SPI Bus Interface

 36 Pages页,473K 查看

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