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M29W320DT70N6

STMicroelectronics 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 4Mx8 or 2Mx16 70ns

更新日期：2024-04-01 00:04:00

M29W320DT70N6

STMicroelectronics 内存

产品简介：闪存 4Mx8 or 2Mx16 70ns

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 4Mx8 or 2Mx16 70ns

M29W320DT70N6 供应商

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M29W320DT70N6 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：闪存
  • 数据总线宽度：8 bit, 16 bit
  • 存储类型：NOR Flash
  • 存储容量：32 Mbit
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：CFI
  • 访问时间：70 ns
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：10 mA
  • 工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-1-48
  • 封装：Tray
  • 组织：4 MB x 8
  • 工厂包装数量：96

M29W320DT70N6 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M29W320DT70N6

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

 46 Pages页,854K 查看
M29W320DT70N6E

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M29W320DT70N6F

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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M29W320DT70N6T

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

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