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M29W160EB90N6E

STMicroelectronics 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 16M (2Mx8 or 1Mx16)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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M29W160EB90N6E

STMicroelectronics 内存

产品简介：闪存 16M (2Mx8 or 1Mx16)

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash 16M (2Mx8 or 1Mx16)

M29W160EB90N6E 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：闪存
  • 数据总线宽度：8 bit, 16 bit
  • 存储类型：NOR Flash
  • 存储容量：16 MB
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：CFI
  • 访问时间：90 ns
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：10 mA
  • 工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-1-48
  • 封装：Tray
  • 组织：1 MB x 16
  • 工厂包装数量：96

M29W160EB90N6E 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M29W160EB90N6E

16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

 40 Pages页,666K 查看

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