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M28W160ECT70ZB6E

STMicroelectronics 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash STD FLASH 16 MEG

更新日期：2024-04-01 00:04:00

M28W160ECT70ZB6E

STMicroelectronics 内存

产品简介：闪存 STD FLASH 16 MEG

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Flash STD FLASH 16 MEG

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M28W160ECT70ZB6E 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：闪存
  • 数据总线宽度：16 bit
  • 存储类型：NOR Flash
  • 存储容量：16 Mbit
  • 结构：Sectored
  • 接口类型：Parallel
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V
  • 最大工作电流：18 mA
  • 工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TFBGA-46
  • 封装：Tray
  • 组织：8 KB x 8, 64 KB x 31
  • 工厂包装数量：230

M28W160ECT70ZB6E 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M28W160ECT70ZB6E

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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