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M27W512-100K6

STMicroelectronics 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：EPROM 512K (64KX8) 100ns

更新日期：2024-04-01 00:04:00

M27W512-100K6

STMicroelectronics 内存

产品简介：可擦除可编程ROM 512K (64KX8) 100ns

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：EPROM 512K (64KX8) 100ns

M27W512-100K6 供应商

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M27W512-100K6 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：可擦除可编程ROM
  • 类型：OTP, UV
  • 存储容量：512 Kbit
  • 组织：64 K x 8
  • 接口类型：Parallel
  • 工作电流：15 uA
  • Programming Voltage：12.75 V
  • 工作电源电压：3 V
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PLCC-32
  • 访问时间：100 ns
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 输出启用访问时间：60 ns
  • 封装：Tube
  • 工厂包装数量：32
  • Supply Voltage - Max：3.6 V
  • Supply Voltage - Min：2.7 V

M27W512-100K6 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
M27W512-100K6

512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

 21 Pages页,341K 查看
M27W512-100K6E

512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

 21 Pages页,370K 查看
M27W512-100K6F

512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W512-100K6TR

512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

 21 Pages页,370K 查看
M27W512-100K6TR

512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

 16 Pages页,109K 查看

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