- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) 500mw switching diode - 参考价格:¥0.069
更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:发光二极管(通用、电源、转换) 500mw switching diode
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:Diodes (General Purpose, Power, Switching) 500mw switching diode - 参考价格:¥0.069
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LS4148 中文资料属性参数
- 制造商:Taiwan Semiconductor
- 产品种类:发光二极管(通用、电源、转换)
- 封装:Reel
- 工厂包装数量:2500
LS4148 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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Silicon Expitaxial Planar Diode |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
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Surface Mount Silicon Planar Diodes |
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SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
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1N4148 Quadro MELF SIGNAL DIODE |
1 Pages页,66K | 查看 |
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DIODES, Signal(Surface Mount) |
1 Pages页,66K | 查看 |
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DIODE, QUADRO-MELF; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:8ns; Forward Surge Current Ifsm Max:2A; Diode Case Style:QuadroMELF; No. of Pins:2; Current Ifrm:450μA; Current Ifsm:2A; Diode Type:Small Signal; External Depth:3.7mm; External Length / Height:1.5mm; External Width:1.5mm; Junction Temperature Tj Max:175°C; Operating Temperature Range:-65°C to +175°C; Package / Case:QuadroMELF; Peak Forward Current:200mA; Power Dissipation Ptot Max:500mW; Reverse Voltage Vr Max:75V; SMD Marking:CATHODE BAND; Tape W... |
5页,191K | 查看 |
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SWITCHING DIODE, 100V 150mA, SOD-80; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Max Vrrm:100V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:8ns; Forward Surge Current Ifsm Max:2A ;RoHS Compliant: Yes |
5页,142K | 查看 |
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Diode Standard 75V 150mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF |
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