您好,欢迎来到知芯网

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:耐辐射 (RHA) 6.5GHz 超宽带全差分放大器

查看详情

LMH5401FFK/EM 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货821Factory
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:差分
  • 电路数:1
  • 输出类型:差分
  • 压摆率:17500V/μs
  • 增益带宽积:6.5 GHz
  • -3db 带宽:4.2 GHz
  • 电流 - 输入偏置:70 μA
  • 电压 - 输入补偿:500 μV
  • 电流 - 供电:60mA
  • 电流 - 输出/通道:50 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):3.15 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.25 V
  • 工作温度:25°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-CLCC
  • 供应商器件封装:14-CLCC(5.5x6)

产品特性

  • QMLV(QML V 类)已通过 MIL-PRF-38535 认证,SMD 5962R1721401VXC 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad (Si) 总电离剂量 (TID)单粒子闩锁 (SEL) 对于 LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg 支持军用级温度范围(-55°C 至 125°C)
  • 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad (Si) 总电离剂量 (TID)
  • 单粒子闩锁 (SEL) 对于 LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
  • 支持军用级温度范围(-55°C 至 125°C)
  • 增益带宽积 (GBP):6.5GHz
  • 优异的线性性能:直流电频率达 2GHz
  • 压摆率:17,500V/µs
  • 低 HD2、HD3 失真(500mVPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):100MHz:HD2 为 -91dBc,HD3 为 -95dBc200MHz:HD2 为 -86dBc,HD3 为 -85dBc500MHz:HD2 为 -80dBc,HD3 为 -80dBc1GHz:HD2 为 -53dBc,HD3 为 -70dBc2GHz:HD2 为 -68dBc,HD3 为 -56dBc
  • 100MHz:HD2 为 -91dBc,HD3 为 -95dBc
  • 200MHz:HD2 为 -86dBc,HD3 为 -85dBc
  • 500MHz:HD2 为 -80dBc,HD3 为 -80dBc
  • 1GHz:HD2 为 -53dBc,HD3 为 -70dBc
  • 2GHz:HD2 为 -68dBc,HD3 为 -56dBc
  • 低 IMD2、IMD3 失真(1VPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):500MHz:IMD2 为 –90dBc,IMD3 为 –79dBc1GHz:IMD2 为 –80dBc,IMD3 为 –61dBc2GHz:IMD2 为 –64dBc,IMD3 为 –42dBc
  • 500MHz:IMD2 为 –90dBc,IMD3 为 –79dBc
  • 1GHz:IMD2 为 –80dBc,IMD3 为 –61dBc
  • 2GHz:IMD2 为 –64dBc,IMD3 为 –42dBc
  • 高 OIP2、OIP3。Gp = 8dB(1) 500MHz:OIP2 为 91dBm,OIP3 为 47.7dBm1 GHz:OIP2 为 80dBm,OIP3 为 37.5dBm
  • 500MHz:OIP2 为 91dBm,OIP3 为 47.7dBm
  • 1 GHz:OIP2 为 80dBm,OIP3 为 37.5dBm
  • 输入电压噪声:1.25nV/√Hz
  • 输入电流噪声:3.5pA/√Hz
  • 支持单电源和双电源运行
  • 电流消耗:60mA
  • 关断特性 (1)

产品概述

LMH5401-SP 是一款针对射频 (RF)、中频 (IF) 或高速直流耦合时域 应用优化的高性能耐辐射差分放大器。该器件非常适合于直流耦合或交流耦合 应用 。LMH5401-SP 在 SE-DE 或差分至差分 (DE-DE) 模式下运行时会产生非常低的二阶和三阶失真。 此放大器针对 SE-DE 和 DE-DE 系统进行了优化。该器件具有直流到 2GHz 的超高可用带宽。LMH5401-SP 可在广泛的 应用 (如测试与测量、宽带通信以及高速数据采集)中用于在信号链中进行 SE-DE 转换,而无需外部平衡-非平衡变压器。该器件提供了共模参考输入引脚,以便使放大器输出共模符合 ADC 输入要求。可选电源范围介于 3.3V 和 5V 之间,并且可根据应用要求支持双电源供电。掉电功能还可实现节能。当器件由 5V 电源供电且达到 300mW 超低功耗时,这一性能等级才能实现。该器件采用德州仪器 (TI) 的先进互补 BiCMOS 工艺制造,可节省空间,同时提供 LCCC-14 封装以实现更高的性能。

LMH5401FFK/EM 电路图

LMH5401FFK/EM 电路图

LMH5401FFK/EM 电路图

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9