LM5109BMAX/NOPB
电源管理 IC- 参考价格:¥3.81-¥7.73
更新日期:2024-04-01
LM5109BMAX/NOPB 供应商
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LM5109BMAX/NOPB 中文资料属性参数
- 制造商:National Semiconductor (TI)
- 类型:High and Low Side
- 上升时间:15 ns (Typ)
- 下降时间:15 ns (Typ)
- Supply Voltage - Max:14 V
- Supply Voltage - Min:8 V
- 电源电流:1.8 mA (Typ)
- 最大工作温度:+ 125 C
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
- 封装:Reel
- 配置:Non-Inverting
- 最大关闭延迟时间:2 ns (Typ)
- 最大开启延迟时间:2 ns (Typ)
- 最小工作温度:- 40 C
- 激励器数量:2
- 输出端数量:2
- 输出电流:1 A (Typ)
- 工厂包装数量:2500
产品特性
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
- 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
- 自举电源电压高达 108VDC
- 短暂传播时间(典型值为 30ns)
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
- 支持电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装
- 电流反馈推挽式转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正激电源转换器
产品概述
LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和 CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。
LM5109BMAX/NOPB 电路图

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