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更新日期：2024-04-01
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LF198H 中文资料属性参数
- 制造商：National Semiconductor (TI)
- 封装：Bulk
- 工厂包装数量：500
产品特性
- 通过 ±5V 至 ±18V 的电源工作
- 采集时间少于 10µs
- 逻辑输入与 TTL、PMOS、CMOS 兼容
- 在 Ch = 0.01µF 时保持步进为 0.5mV（典型值）
- 低输入偏移
- 增益精度为 0.002%
- 在保持模式下，输出噪声较低
- 在保持模式期间，输入特点不变
- 在采样或保持模式中，电源抑制比高
- 宽带宽
- 符合太空要求，符合 JM38510
产品概述
LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路，利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器，直流增益精度为 0.002％（典型值），采集时间低至 6µs (0.01％)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的，不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内，而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω，允许使用高源阻抗，而不会降低精度。P 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合，通过 1µF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于先前设计中使用的 MOS 器件，并且不会出现高温不稳定性。总体设计可确保在保持模式下没有输入到输出的馈通，即使输入信号等于电源电压。LFx98x 上的逻辑输入与低输入电流完全不同，允许直接连接到 TTL、PMOS 和 CMOS。差分阈值为 1.4V。LFx98x 由 ±5V 至 ±18V 的电源供电。A 版本可提供更严格的电气规格。
LF198H 数据手册
LF198H
LF198H 电路图
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