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更新日期：2024-04-01
产品简介：Phototransistors 6mA PHOTO TRANS
L14G1_Q 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 最大功率耗散：600 mW
- 最大暗电流：100 nA
- 封装 / 箱体：TO-18
- 最大工作温度：+ 125 C
- 最小工作温度：- 65 C
- 封装：Bulk
- 类型：Chip
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