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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor
KSE13005H2ATU 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
- 最大直流电集电极电流：4 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：10
- 最大工作频率：4 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-220
- 封装：Tube
- 集电极连续电流：1.5 A
- 功率耗散：75000 mW
KSE13005H2ATU 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 KSE13005H2ATU
|
High Voltage Switch Mode Application |
5 Pages页,49K | 查看 |
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