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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：Transistors Bipolar (BJT)
KSC5367F 中文资料属性参数
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：800 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
- 最大直流电集电极电流：3 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：12
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-220F
- 功率耗散：40000 mW
KSC5367F
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