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更新日期:2024-04-01

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT)

KSC5027RTU 供应商

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KSC5027RTU 中文资料属性参数

  • 制造商:Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:800 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:15
  • 最大工作频率:15 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220
  • 封装:Tube
  • 集电极连续电流:3 A
  • 功率耗散:50 W

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