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KPDE086S-H54P-B
光电二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
KPDE086S-H54P-B
光电二极管产品简介：INGAAS, INAS PHOTODIODE W/THEMO-
KPDE086S-H54P-B 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥5,391.28000袋
- 系列：-
- 包装：袋
- 产品状态：在售
- 波长：-
- 颜色 - 增强：-
- 频谱范围：900nm ~ 1700nm
- 二极管类型：-
- 不同 nm 时响应度：0.9 A/W @ 1310nm，1 A/W @ 1550nm
- 响应时间：-
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：20 V
- 电流 - 暗（典型值）：1nA
- 有效面积：0.86mm2
- 视角：-
- 工作温度：-40°C ~ 70°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-39
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