JFE2140DR
JFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
JFE2140DR
JFET产品简介:JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
JFE2140DR 中文资料属性参数
- 现有数量:1,471现货10,000Factory
- 价格:1 : ¥34.58000剪切带(CT)2,500 : ¥19.55676卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:2 N-通道(双)
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):-
- 漏极电流 (Id) - 最大值:50 mA
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1.5 V @ 0.1 μA
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):13pF @ 5V
- 电阻 - RDS(On):-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC