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JAN1N647-1
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
JAN1N647-1
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
JAN1N647-1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
MicrosemiCorporation
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DO-35
18+ -
500
-
上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
JAN1N647-1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：400mA
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 400 mA
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：50 nA @ 400 V
- 不同?Vr、F 时电容：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：DO-35
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C
JAN1N647-1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 JAN1N647-1
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Silicon Rectifier Diodes |
3 Pages页,76K | 查看 |
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JAN1N647-1
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Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35 |
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