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IXZH16N60
场效应管 - 射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXZH16N60
场效应管 - 射频IXZH16N60 供应商
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IXYS-RF
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18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXZH16N60 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：600V
- 电流, Id 连续:：18A
- 功耗, Pd:：300W
- 封装类型:：TO-247AD
- 针脚数:：3
- 上升时间:：4ns
- 功率, Pd:：300W
- 在电阻RDS（上）:：440mohm
- 封装类型:：TO-247AD
- 封装类型:：TO-247AD
- 封装类型, 替代:：SOT-249
- 晶体管极性:：?频道
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：20V
- 电压, Vds 典型值:：600V
- 电容值, Ciss 典型值:：1930pF
- 电流, Idm 脉冲:：90A
- 表面安装器件:：通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：4.25V