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IXZH08N120
场效应管 - 射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXZH08N120
场效应管 - 射频IXZH08N120 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：1.2kV
- 电流, Id 连续:：8A
- 功耗, Pd:：300W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +175°C
- 封装类型:：TO-247AD
- 针脚数:：3
- 上升时间:：4ns
- 功率, Pd:：300W
- 在电阻RDS（上）:：2.1ohm
- 封装类型:：TO-247AD
- 封装类型:：TO-247AD
- 封装类型, 替代:：SOT-249
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：300W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：20V
- 电压, Vds 典型值:：1.2kV
- 电容值, Ciss 典型值:：1960pF
- 电流, Idm 脉冲:：40A
- 表面安装器件:：通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：6.5V