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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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IXZ308N120 供应商

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IXZ308N120 中文资料属性参数

  • 晶体管类型::RF MOSFET
  • 电压, Vds 最大::1.2kV
  • 电流, Id 连续::8A
  • 功耗, Pd::880W
  • 工作温度范围::-55°C 到 +175°C
  • 封装类型::DE375
  • 针脚数::6
  • 上升时间::5ns
  • 功率, Pd::880W
  • 在电阻RDS(上)::2.1ohm
  • 封装类型::DE-375
  • 封装类型::DE-375
  • 晶体管极性::?频道
  • 最大功耗::880W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量::20V
  • 电压, Vds 典型值::1.2kV
  • 电容值, Ciss 典型值::1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值::6.5V

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