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IXZ215N12L
场效应管 - 射频更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXZ215N12L
场效应管 - 射频IXZ215N12L 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：125V
- 电流, Id 连续:：15A
- 工作温度范围:：-55°C 到 +175°C
- 封装类型:：DE275
- 针脚数:：6
- 上升时间:：4ns
- 在电阻RDS（上）:：300mohm
- 封装类型:：DE-275
- 封装类型:：DE-275
- ??体管极性:：?频道
- 最大功耗:：6W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：15V
- 电压, Vds 典型值:：125V
- 电容值, Ciss 典型值:：425pF
- 电流, Idm 脉冲:：60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：6.5V