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IXZ211N50
场效应管 - 射频更新日期：2024-04-01
IXZ211N50
场效应管 - 射频IXZ211N50 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：500V
- 电流, Id 连续:：11A
- 功耗, Pd:：540W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +175°C
- 上升时间:：4ns
- 功率, Pd:：540W
- 在电阻RDS（上）:：600mohm
- 封装类型:：DE-275
- 封装类型:：DE-275
- 晶体???极性:：?频道
- 最大功耗:：590W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：15V
- 电压, Vds 典型值:：500V
- 电容值, Ciss 典型值:：790pF
- 电流, Idm 脉冲:：60A