搜索
发布采购
IXZ210N50L
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 242.40-CNY 315.10
更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXZ210N50L
场效应管 - 射频- 参考价格：CNY 242.40-CNY 315.10
IXZ210N50L 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS
-
DE275
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXZ210N50L 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：RF MOSFET
- 电压, Vds 最大:：500V
- 电流, Id 连续:：10A
- 功耗, Pd:：470W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +175°C
- 封装类型:：DE275
- 针脚数:：6
- 上升时间:：4ns
- 功率, Pd:：470W
- 在电阻RDS（上）:：1ohm
- 封装类型:：DE-275
- 封装类型:：DE-275
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：470W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：20V
- 电压, Vds 典型值:：500V
- 电容值, Ciss 典型值:：622pF
- 电流, Idm 脉冲:：60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：4.95V
IXZ210N50L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXZ210N50L
|
N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET |
9 Pages页,248K | 查看 |