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IXSM40N60A

IXYS IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 40 Amps 600V

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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IXSM40N60A

IXYS IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 40 Amps 600V

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors 40 Amps 600V

IXSM40N60A 中文资料属性参数

  • 制造商：IXYS
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-204AA-3
  • 封装：Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic：75 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 工厂包装数量：20

IXSM40N60A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXSM40N60A

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

 6 Pages页,92K 查看

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