您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IXGR60N60B2

IXYS IGBT - 单路
  • 封装：TO-247-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$7.6875

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IXGR60N60B2

IXYS IGBT - 单路

产品简介：IGBT 600V 75A ISOPLUS247

  • 封装：TO-247-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$7.6875

IXGR60N60B2 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

IXGR60N60B2 中文资料属性参数

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：HiPerFAST™
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2V @ 15V，50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：75A
  • 功率 - 最大：250W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：PLUS247?-3
  • 包装：管件

IXGR60N60B2 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXGR60N60B2

IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOPLUS-247; No. of Pins:3; Current Ic Continuous a Max:75A; Fall Time tf:100ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.5°C/W; Package / Case:ISOPLUS-247; Pin Configuration:Single; Power Dissipation Max:250W; Rise Time:100ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

6页,798K 查看
IXGR60N60B2D1

IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:250W; Case Style:ISOPLUS-247; Termination Type:Through Hole; Fall Time, Tf:100ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.5°C/W; Pin Configuration:Copack (FRD); Rise Time:100ns

6页,798K 查看

IXGR60N60B2 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9