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IXGR40N60B

IXYS IGBT - 单路
  • 封装：ISOPLUS247?
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$7.831

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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IXGR40N60B

IXYS IGBT - 单路

产品简介：IGBT 70A 600V ISOPLUS247

  • 封装：ISOPLUS247?
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$7.831

IXGR40N60B 供应商

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IXGR40N60B 中文资料属性参数

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：HiPerFAST™
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：70A
  • 功率 - 最大：200W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装：ISOPLUS247?
  • 包装：管件

IXGR40N60B 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXGR40N60B2

IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOPLUS-247; No. of Pins:3; Current Ic Continuous a Max:60A; Fall Time tf:82ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.74°C/W; Package / Case:ISOPLUS-247; Pin Configuration:Single; Power Dissipation Max:167W; Rise Time:82ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

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IXGR40N60B2D1

IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOPLUS-247; No. of Pins:3; Current Ic Continuous a Max:60A; Fall Time tf:82ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; Package / Case:ISOPLUS-247; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:167W; Rise Time:82ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

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