更新日期:2024-04-01 00:04:00
IXGR32N170AH1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS
-
标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
-
IXYS
-
ISOPLUS247?
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IXGR32N170AH1 中文资料属性参数
- 标准包装:30
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:IGBT - 单路
- 系列:-
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):5.2V @ 15V,21A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):26A
- 功率 - 最大:200W
- 输入类型:标准型
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:ISOPLUS247?
- 供应商设备封装:ISOPLUS247?
- 包装:盒
IXGR32N170AH1 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:26A; Collector Emitter Voltage Vces:5.2V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOPLUS-247; No. of Pins:3; Current Ic Continuous a Max:26A; Fall Time tf:50ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; Package / Case:ISOPLUS-247; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:50ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1700V |
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