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IXGH10N60AU1

IXYS IGBT 晶体管
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors G-series A,B,C

更新日期：2024-04-01

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IXGH10N60AU1

IXYS IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 G-series A,B,C

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：IGBT Transistors G-series A,B,C

IXGH10N60AU1 中文资料属性参数

  • 制造商：IXYS
  • 封装：Tube
  • 工厂包装数量：30

IXGH10N60AU1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXGH10N60AU1

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs

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