您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IXFN55N50F

IXYS MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

IXFN55N50F

IXYS MOSFET

产品简介：MOSFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET

IXFN55N50F 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价
更多供应商

IXFN55N50F 中文资料属性参数

  • 制造商：IXYS
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：500 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms
  • 配置：Single Dual Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-227B
  • 封装：Tube
  • 下降时间：9.6 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：600 W
  • 上升时间：20 ns
  • 工厂包装数量：10
  • 典型关闭延迟时间：45 ns

IXFN55N50F 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXFN55N50F

HiPerRF Power MOSFETs

 2 Pages页,122K 查看

IXFN55N50F 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9