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IXFM10N100

IXYS MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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IXFM10N100

IXYS MOSFET

产品简介：MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds

IXFM10N100 中文资料属性参数

  • 制造商：IXYS
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：1000 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：10 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204AA
  • 封装：Tube
  • 下降时间：32 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：300 W
  • 上升时间：33 ns
  • 工厂包装数量：20
  • 典型关闭延迟时间：62 ns

IXFM10N100 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXFM10N100

HIPERFET Power MOSFTETs

 8 Pages页,296K 查看
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 4 Pages页,296K 查看

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