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更新日期:2024-04-01

产品简介:EMC 性能优异的汽车类双通道、1/1、增强型数字隔离器

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ISO7721FQDWRQ1 供应商

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ISO7721FQDWRQ1 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货6,000Factory查看交期
  • 价格:2,000 : ¥12.40185卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 类型:通用
  • 隔离式电源:
  • 通道数:2
  • 输入 - 侧 1/侧 2:1/1
  • 通道类型:单向
  • 电压 - 隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):85kV/μs
  • 数据速率:100Mbps
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):16ns,16ns
  • 脉宽失真(最大):4.9ns
  • 上升/下降时间(典型值):3.9ns,3.9ns
  • 电压 - 供电:2.25V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SOIC

产品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果: 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围 器件 HBM ESD 分类等级 3A 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全型 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISO7720-Q1、ISO7721-Q1
  • 可提供用于功能安全系统设计的文档:ISO7720-Q1、ISO7721-Q1
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅: 在 1.5 kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年 隔离等级高达 5000VRMS 浪涌能力高达 12.8kV CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 在 1.5 kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年
  • 隔离等级高达 5000VRMS
  • 浪涌能力高达 12.8kV
  • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO772x) 和低电平 (ISO772xF) 选项
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC) 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护 低干扰 (EMI)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
  • 低干扰 (EMI)
  • 宽体 SOIC(DW-16、DWV-8)和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘 UL 1577 组件认证计划 IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
  • UL 1577 组件认证计划
  • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

产品概述

ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS(DW 和 DWV )和 3000VRMS(D 封装)隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道,而 ISO7721-Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。有关更多详细信息,请参阅器件功能模式 部分。这些器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术,ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO7721FQDWRQ1 电路图

ISO7721FQDWRQ1 电路图

ISO7721FQDWRQ1 电路图

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