您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

ISL9N307AD3ST

Fairchild Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

ISL9N307AD3ST

Fairchild Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

ISL9N307AD3ST 中文资料属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0115 Ohms
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252AA
  • 封装：Reel
  • 下降时间：40 ns, 35 ns
  • 功率耗散：100 W
  • 上升时间：70 ns, 45 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：40 ns, 60 ns

ISL9N307AD3ST 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
ISL9N307AD3ST

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

 11 Pages页,190K 查看

ISL9N307AD3ST 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9