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IS61QDB42M36-300M3LI

ISSI 内存

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：DRAM 72Mb QUAD Burst of 4 Sync SRAM 2Mb x 36
参考价格：￥678.68

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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IS61QDB42M36-300M3LI

ISSI 内存

产品简介：动态随机存取存储器 72Mb QUAD Burst of 4 Sync SRAM 2Mb x 36

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：DRAM 72Mb QUAD Burst of 4 Sync SRAM 2Mb x 36
参考价格：￥678.68

IS61QDB42M36-300M3LI 中文资料属性参数

制造商：ISSI
数据总线宽度：4 bit
组织：2 Mbit x 36
封装 / 箱体：BGA-165
存储容量：72 MB
最大时钟频率：300 MHz
访问时间：7.5 ns
Supply Voltage - Max：2.9 V
Supply Voltage - Min：- 0.5 V
最大工作电流：900 mA
最大工作温度：+ 85 C
封装：Tray
安装风格：SMD/SMT

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