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IS49NLS96400-25BL

ISSI 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz
  • 参考价格：￥410.34

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IS49NLS96400-25BL

ISSI 内存

产品简介：动态随机存取存储器 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 400MHz
  • 参考价格：￥410.34

IS49NLS96400-25BL 中文资料属性参数

  • 制造商：ISSI
  • 数据总线宽度：9 bit
  • 组织：64 Mbit x 9
  • 封装 / 箱体：BGA-144
  • 存储容量：576 Mbit
  • 最大时钟频率：400 MHz
  • 访问时间：2.5 ns
  • Supply Voltage - Max：1.9 V
  • Supply Voltage - Min：1.7 V
  • 最大工作电流：408 mA
  • 最大工作温度：+ 70 C
  • 最小工作温度：0 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 工厂包装数量：104

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