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IS43R86400D-6TL

ISSI 内存
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v
  • 参考价格：￥37.54-￥57.96

更新日期：2024-04-01

IS43R86400D-6TL

ISSI 内存

产品简介：动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：DRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v
  • 参考价格：￥37.54-￥57.96

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IS43R86400D-6TL 中文资料属性参数

  • 制造商：ISSI
  • 数据总线宽度：8 bit
  • 组织：64 MB x 8
  • 封装 / 箱体：TSOP-66
  • 存储容量：512 MB
  • 最大时钟频率：166 MHz
  • 访问时间：6 ns
  • Supply Voltage - Max：2.7 V
  • Supply Voltage - Min：2.3 V
  • 最大工作温度：+ 70
  • 封装：Tray
  • 工厂包装数量：108

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