您好，欢迎来到知芯网

IS43R16160D-6BLI-TR

ISSI 内存

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
参考价格：￥33.88

更新日期：2024-04-01

IS43R16160D-6BLI-TR

ISSI 内存

产品简介：动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
参考价格：￥33.88

IS43R16160D-6BLI-TR 中文资料属性参数

制造商：ISSI
数据总线宽度：16 bit
组织：16 Mbit x 16
封装 / 箱体：BGA-60
存储容量：256 Mbit
最大时钟频率：166 MHz
访问时间：6 ns
Supply Voltage - Max：3.6 V
Supply Voltage - Min：1.65 V
最大工作温度：+ 85 C
封装：Reel
最小工作温度：- 40 C
安装风格：SMD/SMT
工厂包装数量：2500

IS43R16160D-6BLI-TR 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9