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  • 参考价格:CNY 15.20-CNY 34.20

更新日期:2024-04-01 00:04:00

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IRS21834PBF. 中文资料属性参数

  • 驱动芯片类型::金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • 模块配置::高压侧
  • 输出电流 峰值::2.3A
  • 输入延迟::180ns
  • 输出延时::220ns
  • 电源电压范围::10V 到 20V
  • 封装类型::双列直插
  • 针脚数::14
  • 工作温度范围::-40°C 到 +125°C
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 偏移电压::600V
  • 功耗, Pd::1600mW
  • 器件标号::21834
  • 封装类型::DIP
  • 最大输出电流::2300mA
  • 电源电压 最大::20V
  • 电??电压 最小::10V
  • 表面安装器件::通孔安装
  • 输出电压::620V
  • 输出电压 最大::20V
  • 输出电压 最小::10V
  • 输出电流::1.9A
  • 输出电流 + 最大::1900mA
  • 输出通道数字::1

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