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- 参考价格：CNY 12.80-CNY 27.60
更新日期：2024-04-01 00:04:00
- 参考价格：CNY 12.80-CNY 27.60
IRS2109PBF. 中文资料属性参数
- 驱动芯片类型:：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
- 模块配置:：高压侧
- 输出电流 峰值:：600mA
- 输入延迟:：750ns
- 输出延时:：200ns
- 电源电压范围:：10V 到 20V
- 封装类型:：双列直插
- 针脚数:：8
- 工作温度范围:：-40°C 到 +125°C
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 偏移电压:：600V
- 功耗, Pd:：1000mW
- 器件标号:：2109
- 封装类型:：DIP
- 最大输出电流:：250mA
- 电源电压 最大:：20V
- 电源电压 最小:：10V
- 表面安装器件:：通孔安装
- 输出电压:：620V
- 输出电压 最大:：20V
- 输出电压 最小:：10V
- 输出电流:：120mA
- 输出电流 + 最大:：120mA
- 输出通道数字:：1