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更新日期:2024-04-01

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IRLML2502PBF 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:54 ns
  • 典型接通延迟时间:7.5 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:8 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds:740 pF V @ 15
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.4mm
  • 封装类型:Micro3
  • 尺寸:3.04 x 1.4 x 1.02mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:1.25 W
  • 最大栅源电压:±12 V
  • 最大漏源电压:20 V
  • 最大漏源电阻值:0.045
  • 最大连续漏极电流:4.2 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:
  • 长度:3.04mm
  • 高度:1.02mm

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