- 封装:TO-261-4,TO-261AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.232-$0.284
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
- 封装:TO-261-4,TO-261AA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.232-$0.284
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IRLL024NTRPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 3.1A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:15.6nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
- 功率 - 最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRLL024NPBFTRIRLL024NTRPBF-NDIRLL024NTRPBFTR-ND
IRLL024NTRPBF 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.4A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes |
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