您好,欢迎来到知芯网
  • 封装:TO-261-4,TO-261AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.232-$0.284

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

  • 封装:TO-261-4,TO-261AA
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.232-$0.284

IRLL024NTRPBF 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

IRLL024NTRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLL024NPBFTRIRLL024NTRPBF-NDIRLL024NTRPBFTR-ND

IRLL024NTRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLL024NTRPBF

N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.4A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes

8页,146K 查看

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9