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更新日期:2024-04-01

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IRLIB4343PBF 供应商

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IRLIB4343PBF 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间:23 ns
  • 典型接通延迟时间:5.7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:28 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:740 pF V @ 50
  • 安装类型:通孔
  • 封装类型:TO-220 Full-Pak
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-40 °C
  • 最大功率耗散:39000 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:55 V
  • 最大漏源电阻值:0.05
  • 最大连续漏极电流:19 A
  • 最高工作温度:+175 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:
  • 高度:9.8mm

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9