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更新日期：2024-04-01
IRG4RC10S 供应商
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IR
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TO-252
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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InfineonTechnologies
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D-Pak
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon
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TO-252AA
21+ -
64
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上海市
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一级代理原装
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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IR/ELNAF
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TO-252
1826+ -
5012
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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IRG4RC10SDPBF
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Infineon
连可连代销V -
30
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上海市
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1
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INFINEON
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DPAKCOPAK
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IRG4RC10S 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 集电极直流电流:：14A
- 饱和电压, Vce sat 最大:：1.7V
- 功耗, Pd:：38W
- 电压, Vceo:：600V
- 工作温度范围:：-55°C 到 +150°C
- 封装类型:：TO-252
- 针脚数:：3
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 上升时间:：28ns
- 下降时间最大:：1100ns
- 功率, Pd:：38W
- 功耗:：38W
- 封装类型:：TO-252
- 晶体管数:：1
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：38W
- 最大连续电流, Ic:：14A
- 温度 @ 电流测量:：25°C
- 满功率温度:：25°C
- 电流, Icm 脉冲:：18A
- 表面安装器件:：表面安装
IRG4RC10S 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRG4RC10S
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) |
8 Pages页,121K | 查看 |
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IRG4RC10SDPBF
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IGBT, D-PAK 600V 14A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:14A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:38W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:14A; Fall Time Max:31ns; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Max:38W; Power Dissipation Pd:38W; Pulsed Current Icm:18A; Rise Time:31ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel |
11页,349K | 查看 |
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IRG4RC10SDTRPBF
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IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:14A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.7V; Power Dissipation, Pd:38W; Package/Case:D-PAK; C-E Breakdown Voltage:600V ;RoHS Compliant: Yes |
10页,190K | 查看 |