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更新日期：2024-04-01 00:04:00
IRG4PH50U 供应商
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isc/固电半导体
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TO-247-3L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IR
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TO-3PL
23+ -
15000
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上海市
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中国区代理原装进口特价
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IR
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TO-247
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
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N/A
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IGBT
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63
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苏州
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杭州
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原装正品现货
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Infineon Technologies
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TO-247-3
23+ -
4000
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上海市
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INFINEON
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TO247COPAK
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1900
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上海市
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原装现货
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INFINEON/IR
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TO-247-3
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
IRG4PH50U 中文资料属性参数
- 功耗, Pd:：200W
- 电压, Vceo:：1.2kV
- 封装类型:：TO-247
- 针脚数:：3
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (19-Dec-2011)
- 上升时间:：15ns
- 下降时间最大:：500ns
- 功率, Pd:：200W
- 功耗:：200W
- 封装类型:：TO-247
- 晶体管数:：1
- 晶体管极性:：?频道
- 最大功耗:：200W
- 最大连续电流, Ic:：45A
- 温度 @ 电流测量:：25°C
- 满功率温度:：25°C
- 电流, Icm 脉冲:：180A
IRG4PH50U 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRG4PH50U
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
8 Pages页,135K | 查看 |
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IRG4PH50UD
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
10 Pages页,230K | 查看 |
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IRG4PH50UPBF
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SINGLE IGBT, 1.2KV, 45A; DC Collector Cu; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:45A; Collector Emitter Voltage Vces:3.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:45A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:500ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:180A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage ... |
9页,623K | 查看 |