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  • 封装:TO-220-3 整包
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:IGBT W/DIODE 600V 14.3A TO-220FP

  • 封装:TO-220-3 整包
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

IRG4IBC20FD 供应商

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IRG4IBC20FD 中文资料属性参数

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2V @ 15V,9A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):14.3A
  • 功率 - 最大:34W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220AB 整包
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRG4IBC20FD

IRG4IBC20FD 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRG4IBC20FD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

10 Pages页,224K 查看
IRG4IBC20FDPBF

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10 Pages页,306K 查看

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