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IRG4BC20S

International Rectifier IGBT - 单路
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.52687

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRG4BC20S

International Rectifier IGBT - 单路

产品简介：IGBT STD 600V 19A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.52687

IRG4BC20S 供应商

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IRG4BC20S 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.6V @ 15V，10A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：19A
  • 功率 - 最大：60W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRG4BC20S

IRG4BC20S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRG4BC20S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

 8 Pages页,158K 查看
IRG4BC20SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

 10 Pages页,288K 查看
IRG4BC20SDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRG4BC20SD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

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