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更新日期：2024-04-01
IRG4BC20KD-STRLP 中文资料属性参数
- 晶体管类型:：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 集电极直流电流:：16A
- 饱和电压, Vce sat 最大:：2.27V
- 功耗, Pd:：60W
- 电压, Vceo:：600V
- 封装类型:：D2-PAK
- 针脚数:：3
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 上升时间:：34ns
- 功率, Pd:：60W
- 功耗:：60W
- 封装类型:：D2-PAK
- 封装类型, 替代:：TO-263
- 晶体管极性:：?频道
- 最大连续电流, Ic:：16A
- 电压, Vces:：600V
- 电流, Icm 脉冲:：32A
- 表面安装器件:：表面安装
IRG4BC20KD-STRLP 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRG4BC20KD-STRLP
|
IGBT, COPAK, D2-PAK; Transistor Type:; Collector Emitter Voltage Vces:2.27V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:D2-PAK; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-263; Current Ic Continuous a Max:16A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:32A; Rise Time:34ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V |
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