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IRG4BC20K

International Rectifier IGBT - 单路
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IRG4BC20K

International Rectifier IGBT - 单路

产品简介：IGBT UFAST 600V 16A TO-220AB

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

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IRG4BC20K 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，9A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：16A
  • 功率 - 最大：60W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRG4BC20K

IRG4BC20K 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRG4BC20K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

 8 Pages页,139K 查看
IRG4BC20KDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

 10 Pages页,223K 查看
IRG4BC20KD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

 10 Pages页,223K 查看
IRG4BC20KD-STRLP

IGBT, COPAK, D2-PAK; Transistor Type:; Collector Emitter Voltage Vces:2.27V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:D2-PAK; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-263; Current Ic Continuous a Max:16A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:32A; Rise Time:34ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

11页,226K 查看
IRG4BC20KS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

 8 Pages页,163K 查看
IRG4BC20K-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

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