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- 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：DIODE IGBT 600V 14.0A TO-262
- 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
IRG4BC10SD-L 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.8V @ 15V，8A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：14A
- 功率 - 最大：38W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
- 其它名称：*IRG4BC10SD-LIRG4BC10SDL
IRG4BC10SD-L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRG4BC10SD-L
|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
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