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- 封装：TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
- 包装方式：管件
- 参考价格：$1.1197-$1.6000
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- 封装：TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
- 包装方式：管件
- 参考价格：$1.1197-$1.6000
IRFZ34VSPBF 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单路
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：Standard
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：28 毫欧 @ 18A, 10V
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V
- 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：1120pF @ 25V
- 功率 - 最大：70W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
- 其它名称：*IRFZ34VSPBF
IRFZ34VSPBF 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IRFZ34VSPbF
|
HEXFET Power MOSFET |
10 Pages页,215K | 查看 |
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